ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16400B-6BLI-TR
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IS43LR16400B-6BLI-TR
1266-IS43LR16400B-6BLI-TR
存储器
60-TFBGA
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DRAM 64M (4Mx16) 166MHz MDDR 1.8v
1最小包装量--
IS43LR16400B-6BLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16400B-6BLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
60
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
端子表面处理
哑光锡
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
电源
1.8V
内存大小
64Mb 4M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
4MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.00001A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
1.95V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
刷新周期
4096
顺序突发长度
24816
交错突发长度
24816
长度
10mm
座位高度(最大)
1.1mm
RoHS状态
符合RoHS标准
IS43LR16400B-6BLI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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