ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7BLA2-TR
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IS45S32200E-7BLA2-TR
1266-IS45S32200E-7BLA2-TR
存储器
90-TFBGA
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IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
1最小包装量--
IS45S32200E-7BLA2-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7BLA2-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
引脚数
90
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~105°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
90
电压 - 供电
3V~3.6V
端子位置
BOTTOM
电源电压
3.3V
端子间距
0.8mm
工作电源电压
3.3V
内存大小
64Mb 2M x 32
电源电流
140mA
时钟频率
143MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32b
组织结构
2MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
地址总线宽度
13b
密度
64 Mb
待机电流-最大值
0.002A
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IS45S32200E-7BLA2-TR拓展信息
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