ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25EBLA1
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IS46DR16640B-25EBLA1
1266-IS46DR16640B-25EBLA1
存储器
84-TFBGA
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DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
1最小包装量--
IS46DR16640B-25EBLA1详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25EBLA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
引脚数
84
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
电源电流
240mA
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
400MHz
访问时间
400ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
64MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
16b
密度
1 Gb
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS46DR16640B-25EBLA1拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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