ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA2-TR
- 收藏
- 对比
IS46DR16640B-3DBLA2-TR
1266-IS46DR16640B-3DBLA2-TR
存储器
84-TFBGA
大陆
立即发货

DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v
--最小包装量--
IS46DR16640B-3DBLA2-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA2-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
84-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
84
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~105°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
84
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.8V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
16b
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
待机电流-最大值
0.015A
记忆密度
1073741824 bit
筛选水平
AEC-Q100
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
48
交错突发长度
48
长度
12.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS46DR16640B-3DBLA2-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。