ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-33BL
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IS49NLS93200-33BL
1266-IS49NLS93200-33BL
存储器
144-TFBGA
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DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2
1最小包装量--
IS49NLS93200-33BL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-33BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
144-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
144
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
144
ECCN 代码
EAR99
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
1.7V~1.9V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
1mm
引脚数量
144
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9V
电源
1.5/1.81.82.5V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
288Mb 32M x 9
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
9b
组织结构
32MX9
输出特性
3-STATE
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.048A
记忆密度
301989888 bit
最高频率
300MHz
I/O类型
SEPARATE
交错突发长度
248
长度
18.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS49NLS93200-33BL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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