IS49NLS93200-33BL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-33BL

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型号

IS49NLS93200-33BL

utmel 编号

1266-IS49NLS93200-33BL

商品类别

存储器

封装

144-TFBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2

起订量

1最小包装量--

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IS49NLS93200-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc DRAM 288Mbit x9 Separate I/O 300MHz RLDRAM2

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IS49NLS93200-33BL详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-33BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    144-TFBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    144

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    144

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    自动刷新

  • HTS代码

    8542.32.00.28

  • 电压 - 供电

    1.7V~1.9V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    1.8V

  • 端子间距

    1mm

  • 引脚数量

    144

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9V

  • 电源

    1.5/1.81.82.5V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7V

  • 内存大小

    288Mb 32M x 9

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 访问时间

    20ns

  • 内存格式

    DRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    9b

  • 组织结构

    32MX9

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    9

  • 待机电流-最大值

    0.048A

  • 记忆密度

    301989888 bit

  • 最高频率

    300MHz

  • I/O类型

    SEPARATE

  • 交错突发长度

    248

  • 长度

    18.5mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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