ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C632A-6TQI
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IS61C632A-6TQI
1266-IS61C632A-6TQI
存储器
100-LQFP
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IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP
1最小包装量--
IS61C632A-6TQI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C632A-6TQI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-LQFP
表面安装
YES
引脚数
100
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
100
ECCN 代码
3A991.B.2.B
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
INTERNAL SELF-TIMED WRITE
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
3.3V
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
资历状况
不合格
电源
3.3V
内存大小
1Mb 32K x 32
端口的数量
1
访问时间
6ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.02A
记忆密度
1048576 bit
最高频率
83MHz
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
3.14V
电压 - 供电 (最大值)
3.63V
电压 - 供电 (最小值)
3.135V
输出启用
YES
长度
20mm
座位高度(最大)
1.6mm
宽度
14mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS61C632A-6TQI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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