ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C632A-7TQ
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IS61C632A-7TQ
1266-IS61C632A-7TQ
存储器
100-LQFP
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IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP
1最小包装量--
IS61C632A-7TQ详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C632A-7TQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
100-LQFP
引脚数
100
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
150mA
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
100
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
INTERNAL SELF-TIMED WRITE
电压 - 供电
3.3V
端子位置
QUAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.65mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
内存大小
1Mb 32K x 32
端口的数量
1
时钟频率
75MHz
访问时间
7ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
地址总线宽度
15b
密度
1 Mb
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
32b
电压 - 供电 (最大值)
3.63V
长度
20mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS61C632A-7TQ拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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