ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18C-250M3L
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IS61DDB21M18C-250M3L
1266-IS61DDB21M18C-250M3L
存储器
165-LBGA
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IC SRAM 18M PARALLEL 250MHZ
--最小包装量--
IS61DDB21M18C-250M3L详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18C-250M3L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
包装/外壳
165-LBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
包装
Tray
操作温度
0°C~70°C TA
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
1.71V~1.89V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B165
内存大小
18Mb 1M x 18
时钟频率
250MHz
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX18
内存宽度
18
记忆密度
18874368 bit
电压 - 供电 (最大值)
1.89V
电压 - 供电 (最小值)
1.71V
宽度
15mm
座位高度(最大)
1.4mm
长度
17mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61DDB21M18C-250M3L拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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