IS61DDB24M18A-250M3L
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB24M18A-250M3L

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型号

IS61DDB24M18A-250M3L

utmel 编号

1266-IS61DDB24M18A-250M3L

商品类别

存储器

封装

165-LBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DDR-II (Burst 2) CIO Synchronous SRAM 72Mb 4Mx18 250MHz 1.8V 165-Pin FBGA Tray

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IS61DDB24M18A-250M3L
IS61DDB24M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc DDR-II (Burst 2) CIO Synchronous SRAM 72Mb 4Mx18 250MHz 1.8V 165-Pin FBGA Tray

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IS61DDB24M18A-250M3L详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB24M18A-250M3L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    165-LBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    165

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    0°C~70°C TA

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    165

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 附加功能

    流水线结构

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 电压 - 供电

    1.8V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 内存大小

    72Mb 4M x 18

  • 时钟频率

    250MHz

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    4MX18

  • 内存宽度

    18

  • 记忆密度

    75497472 bit

  • 访问时间(最大)

    0.45 ns

  • 电压 - 供电 (最大值)

    1.89V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    1.71V

  • 长度

    17mm

  • 座位高度(最大)

    1.4mm

  • 宽度

    15mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

IS61DDB24M18A-250M3L拓展信息

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