IS61LPS102418A-250B3I
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-250B3I

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型号

IS61LPS102418A-250B3I

utmel 编号

1266-IS61LPS102418A-250B3I

商品类别

存储器

封装

165-TBGA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

起订量

1最小包装量--

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IS61LPS102418A-250B3I
IS61LPS102418A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA

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IS61LPS102418A-250B3I详情

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-250B3I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    165-TBGA

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    165

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 终止次数

    165

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    流水线结构

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 电压 - 供电

    3.135V~3.465V

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    3.3V

  • 端子间距

    1mm

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    165

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.465V

  • 电源

    2.5/3.33.3V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3.135V

  • 内存大小

    18Mb 1M x 18

  • 时钟频率

    250MHz

  • 访问时间

    2.6ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    1MX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    18

  • 待机电流-最大值

    0.125A

  • 记忆密度

    18874368 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 待机电压-最小值

    3.14V

  • 长度

    15mm

  • 座位高度(最大)

    1.2mm

  • 宽度

    13mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

IS61LPS102418A-250B3I拓展信息

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