ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836EC-200B3LI
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IS61LPS12836EC-200B3LI
1266-IS61LPS12836EC-200B3LI
存储器
165-TFBGA
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SRAM SRAM,4Mb 128K x 36 ECC,SYNC. Pipelined
1最小包装量--
IS61LPS12836EC-200B3LI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836EC-200B3LI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
165
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
资历状况
不合格
电源
2.52.5/3.3V
内存大小
4.5Mb 128K x 36
时钟频率
200MHz
访问时间
3.1ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.085A
记忆密度
4718592 bit
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
3.14V
电压 - 供电 (最大值)
3.465V
电压 - 供电 (最小值)
3.135V
长度
15mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
13mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61LPS12836EC-200B3LI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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