ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200B3LI-TR
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1266-IS61LPS25636A-200B3LI-TR
存储器
165-TBGA
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IC SRAM 9M PARALLEL 165TFBGA
1最小包装量--
IS61LPS25636A-200B3LI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200B3LI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
165-TBGA
安装类型
表面贴装
引脚数
165
供应商器件包装
165-TFBGA (13x15)
Current - Supply (Nom)
275mA
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~85°C TA
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
3.135V~3.465V
频率
200MHz
界面
Parallel
内存大小
9Mb 256K x 36
端口的数量
4
时钟频率
200MHz
访问时间
3.1ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
地址总线宽度
18b
密度
9 Mb
最高频率
200MHz
同步/异步
Synchronous
字长
36b
电压 - 供电 (最大值)
3.465V
电压 - 供电 (最小值)
3.135V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61LPS25636A-200B3LI-TR拓展信息
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