ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10B

安装类型

表面贴装

包装/外壳

119-BGA

表面安装

YES

引脚数

119

Memory Types

Volatile

Current - Supply (Nom)

180mA

操作温度

0°C~70°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

119

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

低功耗待机模式

电压 - 供电

3.3V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

内存大小

3Mb 128K x 24

端口的数量

1

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

24

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

地址总线宽度

17b

密度

3 Mb

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

24b

待机电压-最小值

3V

电压 - 供电 （最大值）

3.63V

电压 - 供电 （最小值）

2.97V

长度

22mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant