ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8BI
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IS61LV12824-8BI
1266-IS61LV12824-8BI
存储器
119-BGA
大陆
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SRAM Chip Async Single 3.3V 3M-Bit 128K x 24-Bit 8ns 119-Pin BGA T/R
1最小包装量--
IS61LV12824-8BI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8BI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
119-BGA
表面安装
YES
引脚数
119
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
240mA
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
内存大小
3Mb 128K x 24
端口的数量
1
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
24
写入周期时间 - 字符、页面
8ns
地址总线宽度
17b
密度
3 Mb
待机电流-最大值
0.02A
访问时间(最大)
8 ns
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
24b
电压 - 供电 (最大值)
3.63V
长度
22mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IS61LV12824-8BI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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