ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10T
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IS61LV6416-10T
1266-IS61LV6416-10T
存储器
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
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IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II
1最小包装量--
IS61LV6416-10T详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
引脚数
44
Memory Types
Volatile
包装
Tray
操作温度
0°C~70°C TA
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
44
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 供电
3.3V
端子位置
DUAL
功能数量
1
端子间距
0.8mm
内存大小
1Mb 64K x 16
端口的数量
1
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
16b
密度
1 Mb
待机电流-最大值
0.005A
I/O类型
COMMON
电压 - 供电 (最大值)
3.63V
输出启用
YES
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS61LV6416-10T拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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