ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2I
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IS61NLP25636A-200B2I
1266-IS61NLP25636A-200B2I
存储器
119-BBGA
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SRAM 8M (256Kx36) 200MHz Sync SRAM 3.3v
1最小包装量--
IS61NLP25636A-200B2I详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
119-BBGA
表面安装
YES
引脚数
119
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
电源
2.5/3.33.3V
内存大小
9Mb 256K x 36
时钟频率
200MHz
访问时间
3.1ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.05A
记忆密度
9437184 bit
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
3.14V
电压 - 供电 (最大值)
3.465V
电压 - 供电 (最小值)
3.135V
长度
22mm
座位高度(最大)
2.41mm
宽度
14mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS61NLP25636A-200B2I拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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