ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B3I-TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

165

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

165

电压 - 供电

3.135V~3.465V

端子位置

BOTTOM

端子间距

1mm

资历状况

不合格

电源

2.5/3.33.3V

内存大小

9Mb 256K x 36

时钟频率

200MHz

访问时间

3.1ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256KX36

输出特性

3-STATE

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.05A

记忆密度

9437184 bit

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

3.14V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant