ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1LI
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IS61NLP25672-200B1LI
1266-IS61NLP25672-200B1LI
存储器
209-BGA
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IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
--最小包装量--
IS61NLP25672-200B1LI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1LI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
209-BGA
表面安装
YES
引脚数
209
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
209
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
209
工作电源电压
3.3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.465V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
18Mb 256K x 72
端口的数量
8
电源电流
600mA
时钟频率
200MHz
访问时间
3.1ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256KX72
输出特性
3-STATE
内存宽度
72
地址总线宽度
18b
密度
18 Mb
待机电流-最大值
0.075A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
72b
待机电压-最小值
3.14V
长度
22mm
座位高度(最大)
1.95mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61NLP25672-200B1LI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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