ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3
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IS61NLP51236-200B3
1266-IS61NLP51236-200B3
存储器
165-TFBGA
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IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
1最小包装量--
IS61NLP51236-200B3详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-TFBGA
引脚数
165
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
165
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
165
资历状况
不合格
工作电源电压
3.3V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
18Mb 512K x 36
端口的数量
4
电源电流
425mA
时钟频率
200MHz
访问时间
3.1ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
地址总线宽度
19b
密度
18 Mb
待机电流-最大值
0.06A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
长度
15mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS61NLP51236-200B3拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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