ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3I
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IS61NLP51236B-200B3I
1266-IS61NLP51236B-200B3I
存储器
165-TBGA
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IC MEMORY SRAM 165TFBGA
1最小包装量--
IS61NLP51236B-200B3I详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
165-TBGA
安装类型
表面贴装
Memory Types
Volatile
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
1mm
JESD-30代码
R-PBGA-B165
内存大小
18Mb 512K x 36
时钟频率
200MHz
访问时间
3ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX36
内存宽度
36
记忆密度
18874368 bit
电压 - 供电 (最大值)
3.465V
电压 - 供电 (最小值)
3.135V
长度
15mm
宽度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
IS61NLP51236B-200B3I拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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