ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-250M3

表面安装

YES

包装/外壳

165-LBGA

安装类型

表面贴装

Memory Types

Volatile

包装

Tray

操作温度

0°C~70°C TA

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

165

ECCN 代码

3A991.B.2.A

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

1.71V~1.89V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

端子间距

1mm

JESD-30代码

R-PBGA-B165

内存大小

36Mb 2M x 18

时钟频率

250MHz

访问时间

8.4ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2MX18

内存宽度

18

记忆密度

37748736 bit

电压 - 供电 （最大值）

1.89V

电压 - 供电 （最小值）

1.71V

宽度

15mm

座位高度(最大)

1.4mm

长度

17mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant