ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-250B3I
- 收藏
- 对比
IS61VPD102418A-250B3I
1266-IS61VPD102418A-250B3I
存储器
165-TBGA
大陆
立即发货

IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA
1最小包装量--
IS61VPD102418A-250B3I详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-250B3I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
165-TBGA
安装类型
表面贴装
引脚数
165
Memory Types
Volatile
包装
Tray
操作温度
-40°C~85°C TA
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
ECCN 代码
3A991
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
2.375V~2.625V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
电源
2.5V
内存大小
18Mb 1M x 18
时钟频率
250MHz
访问时间
2.6ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX18
输出特性
3-STATE
内存宽度
18
待机电流-最大值
0.075A
记忆密度
18874368 bit
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2.38V
电压 - 供电 (最大值)
2.625V
电压 - 供电 (最小值)
2.375V
宽度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
长度
15mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61VPD102418A-250B3I拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc







哦! 它是空的。