ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-250B3
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IS61VPD51236A-250B3
1266-IS61VPD51236A-250B3
存储器
165-TBGA
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IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA
1最小包装量--
IS61VPD51236A-250B3详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-250B3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-TBGA
表面安装
YES
引脚数
165
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
流水线结构
HTS代码
8542.32.00.41
电压 - 供电
2.375V~2.625V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
1mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
165
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.625V
电源
2.5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.375V
内存大小
18Mb 512K x 36
时钟频率
250MHz
访问时间
2.6ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
512KX36
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.06A
记忆密度
18874368 bit
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2.38V
长度
15mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
13mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61VPD51236A-250B3拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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