ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416ALL-20MI

表面安装

YES

包装/外壳

48-TFBGA

安装类型

表面贴装

引脚数

48

Current - Supply (Nom)

60mA

Memory Types

Volatile

包装

Tray

操作温度

-40°C~85°C TA

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 供电

1.65V~2.2V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

端子间距

0.75mm

内存大小

16Mb 1M x 16

端口的数量

1

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

20ns

地址总线宽度

20b

密度

16 Mb

待机电流-最大值

0.02A

访问时间（最大）

20 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

电压 - 供电 （最大值）

2.2V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

辐射硬化

无