ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416BLL-10MI
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IS61WV102416BLL-10MI
1266-IS61WV102416BLL-10MI
存储器
48-TFBGA
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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-bit 1M x 16 10ns 48-Pin TFBGA
1最小包装量--
IS61WV102416BLL-10MI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416BLL-10MI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
95mA
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
电压 - 供电
3.3V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
端子间距
0.75mm
电源
2.5/3.3V
内存大小
16Mb 1M x 16
端口的数量
1
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
20b
密度
16 Mb
待机电流-最大值
0.02A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Asynchronous
字长
16b
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.4V
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IS61WV102416BLL-10MI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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