ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12824-8BL-TR
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IS61WV12824-8BL-TR
1266-IS61WV12824-8BL-TR
存储器
119-BBGA
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IC SRAM 3M PARALLEL 119PBGA
--最小包装量--
IS61WV12824-8BL-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12824-8BL-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
119-BBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
119
电压 - 供电
3.135V~3.465V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
1.27mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B119
电源电压-最大值(Vsup)
3.465V
电源电压-最小值(Vsup)
3.135V
内存大小
3Mb 128K x 24
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX24
内存宽度
24
写入周期时间 - 字符、页面
8ns
记忆密度
3145728 bit
访问时间(最大)
8 ns
长度
22mm
座位高度(最大)
3.5mm
宽度
14mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61WV12824-8BL-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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