ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51232BLL-10BLI-TR
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IS61WV51232BLL-10BLI-TR
1266-IS61WV51232BLL-10BLI-TR
存储器
90-TFBGA
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SRAM Chip Async Single 3.3V 16M-bit 512K x 32 10ns 90-Pin WBGA T/R
--最小包装量--
IS61WV51232BLL-10BLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51232BLL-10BLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
引脚数
90
供应商器件包装
90-TFBGA (8x13)
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
最高工作温度
85°C
最小工作温度
-40°C
电压 - 供电
1.65V~3.6V
工作电源电压
3.3V
界面
Parallel
最大电源电压
3.6V
最小电源电压
2.4V
内存大小
16Mb 512K x 32
端口的数量
1
电源电流
90mA
访问时间
10ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
地址总线宽度
19b
密度
16 Mb
同步/异步
Asynchronous
字长
32b
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61WV51232BLL-10BLI-TR拓展信息
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