ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR
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1266-IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR
存储器
48-TFBGA
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IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA
1最小包装量--
IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
电压 - 供电
3V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.75mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
内存大小
1Mb 64K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64KX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
10ns
访问时间(最大)
10 ns
电压 - 供电 (最大值)
3.6V
电压 - 供电 (最小值)
2.4V
长度
8mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR拓展信息
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