ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35MI

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

引脚数

48

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

1.8V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75mm

Reach合规守则

compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源

1.8/2V

内存大小

16Mb 1M x 16

电源电流-最大值

0.03mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

35ns

待机电流-最大值

0.0012A

记忆密度

16777216 bit

访问时间（最大）

35 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.65V

电压 - 供电 （最大值）

2.2V

电压 - 供电 （最小值）

1.65V

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

9mm

长度

11mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant