ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45BLI-TR
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IS62WV12816DBLL-45BLI-TR
1266-IS62WV12816DBLL-45BLI-TR
存储器
48-TFBGA
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SRAM 2Mb A128K x 1645ns Async SRAM
1最小包装量--
IS62WV12816DBLL-45BLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45BLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
48-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
48
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
48
电压 - 供电
2.5V~3.6V
端子位置
BOTTOM
端子间距
0.75mm
资历状况
不合格
电源
2.7/3.3V
内存大小
2Mb 128K x 16
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
128KX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
45ns
待机电流-最大值
0.000006A
记忆密度
2097152 bit
访问时间(最大)
45 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
1.5V
RoHS状态
符合RoHS标准
IS62WV12816DBLL-45BLI-TR拓展信息
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