ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55BI

包装/外壳

48-TFBGA

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

48

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

48

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 供电

2.5V~3.6V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

电源电压

2.8V

端子间距

0.75mm

引脚数量

48

工作电源电压

3.3V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2.5V

内存大小

4Mb 256K x 16

端口的数量

1

电源电流

15mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

18b

密度

4 Mb

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

长度

8mm

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant