ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-55TLI

表面安装

YES

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

安装类型

表面贴装

引脚数

44

Memory Types

Volatile

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-40°C~85°C TA

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

哑光锡

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

2.3V~3.6V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3V

内存大小

4Mb 256K x 16

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

待机电流-最大值

0.000007A

记忆密度

4194304 bit

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.2V

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.3V

宽度

10.16mm

座位高度(最大)

1.2mm

长度

18.41mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant