ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216ALL-70BI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

48

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

48

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 供电

2.5V~3.6V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

电源电压

1.8V

端子间距

0.75mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

48

资历状况

不合格

工作电源电压

1.8V

电源电压-最大值(Vsup)

2.2V

内存大小

8Mb 512K x 16

端口的数量

1

电源电流

4mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

地址总线宽度

19b

密度

8 Mb

待机电流-最大值

0.00002A

访问时间（最大）

70 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

长度

8.7mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant