ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2I

安装类型

表面贴装

包装/外壳

32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

32

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

2.5V~3.6V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

电源电压

2.8V

端子间距

1.27mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源

3/3.3V

电源电压-最小值(Vsup)

2.5V

内存大小

4Mb 512K x 8

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

待机电流-最大值

0.000015A

记忆密度

4194304 bit

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.2V

长度

20.95mm

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

10.16mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant