ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45BI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

36-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

36

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

36

ECCN 代码

3A991.B.2.A

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

3V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

端子间距

0.75mm

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3V

内存大小

4Mb 512K x 8

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

待机电流-最大值

0.000007A

记忆密度

4194304 bit

访问时间（最大）

45 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.2V

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.3V

长度

8mm

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant