ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616DBLL-45CTLA1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

Memory Types

Volatile

Usage Level

Automotive grade

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

电压 - 供电

2.3V~3.6V

端子位置

DUAL

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.8mm

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源

2.53.3V

电源电压-最小值(Vsup)

2.3V

内存大小

4Mb 256K x 16

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

45ns

待机电流-最大值

0.00002A

记忆密度

4194304 bit

筛选水平

AEC-Q100

访问时间（最大）

45 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

1.2V

长度

18.41mm

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

10.16mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant