ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55TLI

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

引脚数

44

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

32

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

3V

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

电源

3/3.3V

内存大小

8Mb 512K x 16

操作模式

ASYNCHRONOUS

内存格式

PSRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

待机电流-最大值

0.00013A

记忆密度

8388608 bit

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.5V

长度

20.95mm

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

10.16mm

RoHS状态

符合RoHS标准