ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-55BLI-TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

48

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

端子表面处理

哑光锡

电压 - 供电

2.5V~3.6V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.75mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源

3/3.3V

电源电压-最小值(Vsup)

2.5V

内存大小

8Mb 512K x 16

操作模式

ASYNCHRONOUS

内存格式

PSRAM

内存接口

Parallel

组织结构

512KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

待机电流-最大值

0.00013A

记忆密度

8388608 bit

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

长度

8mm

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant