ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16DBLL-70BLI-TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

48-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

48

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

48

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8542.32.00.41

电压 - 供电

2.7V~3.6V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

电源电压

3V

端子间距

0.75mm

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

电源电压-最大值(Vsup)

3.6V

电源电压-最小值(Vsup)

2.7V

内存大小

32Mb 2M x 16

操作模式

ASYNCHRONOUS

内存格式

PSRAM

内存接口

Parallel

组织结构

2MX16

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

70ns

记忆密度

33554432 bit

访问时间（最大）

70 ns

长度

8mm

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

6mm

RoHS状态

符合RoHS标准