ITT 0P0

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial

表面安装

YES

介电材料

Polyester, Metallized

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rating DC

400V

Voltage Rating AC

220V

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

SUM110P06-07L-E3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Vishay Siliconix

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Trans MOSFET P-CH 60V 110A TO-263

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Risk Rank

5.11

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

110 A

操作温度

-55°C ~ 105°C

系列

MKT371

包装

Bulk

尺寸/尺寸

0.394 L x 0.197 W (10.00mm x 5.00mm)

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

终端

PC引脚

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

应用

通用型

HTS代码

8541.29.00.95

电容量

0.027µF

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

引线间距

0.300 (7.62mm)

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

110 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0069 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

281 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

375 W

特征

长寿命

座位高度(最大)

0.413 (10.50mm)

评级结果

--