DNA30E2200PZ详情
IXYS DNA30E2200PZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Operating Temperature (Max)
150°C
Operating Temperature (Min)
-55°C
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
210W
包装
Cut Tape (CT)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
应用
HIGH VOLTAGE
附加功能
低漏电流
HTS代码
8541.10.00.80
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
二极管类型
接收电极
箱体转运
ANODE
正向电流
30A
最大浪涌电流
370A
正向电压
1.26V
最大反向电压(DC)
2.2kV
平均整流电流
30A
相位的数量
1
峰值反向电流
40μA
JEDEC-95代码
TO-263AB
反向电压(直流电)
2.2kV
RoHS状态
符合RoHS标准
DNA30E2200PZ拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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