IXGQ90N33TBD1详情
IXYS IXGQ90N33TBD1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.2
Ihs Manufacturer
LITTELFUSE INC
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Manufacturer
Littelfuse Inc
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
IXGQ90N33TBD1
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
150 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Turn-off Time-Nom (toff)
382 ns
Turn-on Time-Nom (ton)
39 ns
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
低导通损耗
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
200 W
集电极电流-最大值(IC)
90 A
集电极-发射器电压-最大值
330 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
5 V
IXGQ90N33TBD1拓展信息








哦! 它是空的。