IXSN30N100AU1详情
IXYS IXSN30N100AU1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
IXSN30N100AU1
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
IXYS Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
IXYS CORP
Risk Rank
5.82
附加功能
HIGH SPEED
子类别
绝缘栅BIP晶体管
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PUFM-X4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
205 W
集电极电流-最大值(IC)
34 A
集电极-发射器电压-最大值
1000 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
4 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
8 V
环境耗散-最大值
205 W
IXSN30N100AU1拓展信息








哦! 它是空的。