IXTH68N20详情
IXYS IXTH68N20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
IXTH68N20
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
IXYS Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
IXYS CORP
Risk Rank
5.84
Drain Current-Max (ID)
68 A
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-247AD
最大漏极电流 (Abs) (ID)
68 A
漏极-源极导通最大电阻
0.035 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
272 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
300 W
IXTH68N20拓展信息








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