IXYS IXTN44N50L

包装/外壳

SOT-227-4

表面安装

NO

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Unit Weight

1.058219 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10

Mounting Styles

底座安装

Manufacturer

IXYS

Brand

IXYS

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

44 A

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXTN44N50L

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

LITTELFUSE INC

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

44 A

系列

IXTN44N50

包装

Tube

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

Si

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

产品类别

Discrete Semiconductor Modules