KDS114E-RTK/HU详情
KEC KDS114E-RTK/HU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package Description
R-PDSO-F2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
KDS114E-RTK/HU
Power Dissipation (Max)
0.1 W
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
KEC
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
KEC CORP
Forward Voltage-Max (VF)
0.85 V
Risk Rank
5.73
技术
平面掺杂势垒
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PDSO-F2
配置
SINGLE
二极管类型
混频器芯片
输出电流-最大值
0.1 A
反向电流-最大值
0.1 µA
击穿电压-最小值
35 V
反向测试电压
15 V
频带
极高频率
二极管电容-最大值
1.2 pF
KDS114E-RTK/HU拓展信息








哦! 它是空的。