KGF30N60KDA
KGF30N60KDA

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

KEC KGF30N60KDA

  • 收藏
  • 对比

型号

KGF30N60KDA

品牌

KEC

utmel 编号

2998-KGF30N60KDA

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
KGF30N60KDA
KGF30N60KDA KEC Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, TO-247, 3 PIN

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

KGF30N60KDA详情

KEC KGF30N60KDA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    KEC CORP

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Number of Elements

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    230 ns

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    75 ns

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-247

  • 集电极电流-最大值(IC)

    60 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

0个相似型号

技术文档: KEC KGF30N60KDA.

KGF30N60KDA拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z