KEC KHB4D0N80F2

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn-on Time-Max (ton)

198 ns

Turn-off Time-Max (toff)

388 ns

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Drain Current-Max (ID)

4 A

Package Description

,

Ihs Manufacturer

KEC CORP

Part Life Cycle Code

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

3.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

800 V

雪崩能量等级（Eas）

460 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

43 W

反馈上限-最大值 (Crss)

12 pF