KEC KMB4D8DN55Q

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

KMB4D8DN55Q

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

KEC CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Risk Rank

5.84

Number of Elements

2

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

25 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR