TH58BVG3S0HBAI6
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KIOXIA TH58BVG3S0HBAI6

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型号

TH58BVG3S0HBAI6

品牌

KIOXIA

utmel 编号

1371-TH58BVG3S0HBAI6

商品类别

存储器 - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Flash, 1GX8, PBGA67, VFBGA-67

起订量

1最小包装量--

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TH58BVG3S0HBAI6
TH58BVG3S0HBAI6 KIOXIA Flash, 1GX8, PBGA67, VFBGA-67

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TH58BVG3S0HBAI6详情

KIOXIA TH58BVG3S0HBAI6重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    67

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    KIOXIA HOLDINGS CORP

  • Package Description

    VFBGA,

  • Access Time-Max

    25 ns

  • Number of Words

    1073741824 words

  • Number of Words Code

    1000000000

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Code

    VFBGA

  • Package Equivalence Code

    BGA67,8X10,32

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    NAND类型

  • HTS代码

    8542.32.00.51

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B67

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.7 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.03 mA

  • 组织结构

    1GX8

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1 mm

  • 内存宽度

    8

  • 待机电流-最大值

    0.0001 A

  • 记忆密度

    8589934592 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    3.3 V

  • 写入周期时间 - 最大值

    0.000025 ms

  • 写入保护

    HARDWARE

  • 长度

    8 mm

  • 宽度

    6.5 mm

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技术文档: KIOXIA TH58BVG3S0HBAI6.

TH58BVG3S0HBAI6拓展信息

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